EV GroupTechnologiesOptical Lithography

Optical Lithography

亚美体育提供完整的产品组合,以支持光刻技术固有的广泛可能性.

Introduction

Optical lithography, 用掩模定义的光构造光敏材料,用于后续的半导体工艺, is a well-known and established technology. 今天光学光刻的主要要求是由几个关键参数定义的. Sub-micron alignment accuracy, 控制掩模与晶圆之间均匀的接近间隙, 以及与抗蚀剂灵敏度相对应的清晰定义和精确控制的曝光光谱, 最重要的标准是什么. Additionally, EVG以客户为中心的方法包括针对特定流程需求的定制解决方案. 了解特殊需求,并具有相应的灵活性来调整亚美体育在线网页的系统,这是EVG在不断增强其光刻产品组合的同时,为市场带来的独特核心竞争力之一.

Over the years, 光学光刻技术不断发展,以满足新型半导体器件设计的缩放要求.. 从1985年发明世界上第一台双面掩模定型机到今天,EVG一直放眼未来的市场需求,在光刻技术领域不断创新, 与Q对准器NT实现顶部对准到250纳米. Furthermore, EVG实现了许多先进的对齐特性, 如温控工具组的跳动控制, automatic cross correction, full clearfield mask movement, edge alignment and dynamic alignment. EVG掩膜对准产品系列中最新实现的技术是UV-LED技术, 在紫外线曝光光谱设置方面给用户更多的灵活性, 由于光谱线是独立可调的,因此不再需要特殊的滤光片. Maintenance of UV-LED lamp houses is also minimized. Further capabilities such as bond, transmissive or reflective IR alignment, as well as EVG’s proprietary SmartNIL technology, 让EVG的面具对准器装备精良和先进. 这项技术在当今世界市场上已经得到了广泛的应用, 涵盖所有基本步骤,并能够服务于各种应用, such as wafer bumping, 再分配层(RDL)的创建和通过蚀刻掩模, via bottom opening processes, 也可在薄的或临时粘合的晶圆片上进行光刻. 这些系统可以配置为R的半自动化配置&D以及全自动系统配置,运行磁带到磁带的过程,以实现大批量生产.

Features

  • Alignment modes
    • Top-side alignment
    • Bottom-side alignment
    • IR alignment: transmissive or reflective
    • Bond alignment
    • NIL alignment
  • Exposure source
    • Mercury light source
    • UV LED light source
  • Exposure setup
    • 真空触点|硬触点|软触点|接近方式
    • 伸缩模式允许舞台/蒙版在曝光期间移动
  • 楔形补偿保证均匀曝光结果
    • 全自动- SW控制,有多种控制选项
    • Contactless with proximity spacers
    • Recipe controlled contact force [5 N – 80 N]
  • 各种先进的对准功能,使用复杂的算法,整体对准提高到250 nm, offset correction, runout control or edge alignment
  • 系统控制,包括文件共享和备份解决方案, un-limited number of recipes, multi-language user GUI and support, real-time remote access, diagnostics and troubleshooting
  • Industrial automation features
    • 卡带,SMIF, FOUP, SECS/GEM,薄,弯,翘曲,边缘晶圆处理
  • Nanoimprint lithography technology capability
  • 智能过程控制和数据分析功能,包括对过程和机器控制的综合分析功能, parallel task/queueing task processing feature, equipment and process performance tracking feature, smart handling, 故障和告警分析,智能维护管理和跟踪

Figures

对KOH蚀刻的150µm深度的EVG®620 NT进行高深度曝光.
对KOH蚀刻的150µm深度的EVG®620 NT进行高深度曝光.
MEMS structures patterned in 20 µm thick resist.
MEMS structures patterned in 20 µm thick resist.
Black resist lithography.
Black resist lithography.
用于光学MEMS、光屏蔽或投影应用的黑色抗蚀剂光刻.
用于光学MEMS、光屏蔽或投影应用的黑色抗蚀剂光刻.
用于细胞分选和微流体应用的高宽高比柱, 100 µm thick resist patterning on IQ Aligner® NT.
用于细胞分选和微流体应用的高宽高比柱, 100 µm thick resist patterning on IQ Aligner® NT.
结合NanoSpray™技术和暴露于EVG®6200 NT的涂层TSV底部开口.
结合NanoSpray™技术和暴露于EVG®6200 NT的涂层TSV底部开口.
50 μm厚SU-8暴露柱子,侧壁角度90°±0.5° utilizing optimized exposure & process methods
50 μm厚SU-8暴露柱子,侧壁角度90°±0.5° utilizing optimized exposure & process methods

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